Infineon Technologies - IPN80R4K5P7ATMA1

KEY Part #: K6420994

IPN80R4K5P7ATMA1 Priser (USD) [315810stk Lager]

  • 1 pcs$0.11712
  • 3,000 pcs$0.10472

Delnummer:
IPN80R4K5P7ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - SCR-er - moduler, Power Driver-moduler, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Dioder - likerettere - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1 electronic components. IPN80R4K5P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN80R4K5P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN80R4K5P7ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPN80R4K5P7ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Serie : CoolMOS™ P7
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 20µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 500V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 6W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-SOT223
Pakke / sak : TO-261-3

Du kan også være interessert i