Infineon Technologies - IPD320N20N3GATMA1

KEY Part #: K6418566

IPD320N20N3GATMA1 Priser (USD) [68252stk Lager]

  • 1 pcs$0.57288
  • 2,500 pcs$0.52557

Delnummer:
IPD320N20N3GATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 34A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT-er - moduler, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD320N20N3GATMA1 electronic components. IPD320N20N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD320N20N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD320N20N3GATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD320N20N3GATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 34A
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 32 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 136W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63