IXYS - IXFA10N80P

KEY Part #: K6394894

IXFA10N80P Priser (USD) [36780stk Lager]

  • 1 pcs$1.23871
  • 50 pcs$1.23255

Delnummer:
IXFA10N80P
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - spesialformål, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - En and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFA10N80P electronic components. IXFA10N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA10N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA10N80P Produktegenskaper

Delnummer : IXFA10N80P
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
Serie : HiPerFET™, PolarHT™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-263 (IXFA)
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB