Vishay Siliconix - SI3424BDV-T1-GE3

KEY Part #: K6405256

SI3424BDV-T1-GE3 Priser (USD) [383787stk Lager]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Delnummer:
SI3424BDV-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - JFET-er, Transistorer - spesialformål, Power Driver-moduler, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI3424BDV-T1-GE3 electronic components. SI3424BDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3424BDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3424BDV-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI3424BDV-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 735pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 6-TSOP
Pakke / sak : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6