Produsent :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse :
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
6.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 310µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
390pF @ 300V
FET-funksjon :
Super Junction
Effektdissipasjon (maks) :
60W (Tc)
Driftstemperatur :
150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
DPAK
Pakke / sak :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63