Rohm Semiconductor - R6025FNZ1C9

KEY Part #: K6399369

R6025FNZ1C9 Priser (USD) [14704stk Lager]

  • 1 pcs$3.08049
  • 10 pcs$2.75129
  • 100 pcs$2.25590
  • 500 pcs$1.82671
  • 1,000 pcs$1.54060

Delnummer:
R6025FNZ1C9
Produsent:
Rohm Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - SCR and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Rohm Semiconductor R6025FNZ1C9 electronic components. R6025FNZ1C9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6025FNZ1C9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6025FNZ1C9 Produktegenskaper

Delnummer : R6025FNZ1C9
Produsent : Rohm Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Serie : -
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 180 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 150W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247
Pakke / sak : TO-247-3