ON Semiconductor - FQP2N40-F080

KEY Part #: K6393359

FQP2N40-F080 Priser (USD) [79931stk Lager]

  • 1 pcs$0.48918

Delnummer:
FQP2N40-F080
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - moduler and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQP2N40-F080 electronic components. FQP2N40-F080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP2N40-F080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP2N40-F080 Produktegenskaper

Delnummer : FQP2N40-F080
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 400V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 5.8 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 40W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220-3
Pakke / sak : TO-220-3