ON Semiconductor - FQP3N30

KEY Part #: K6401536

FQP3N30 Priser (USD) [78588stk Lager]

  • 1 pcs$0.43482
  • 10 pcs$0.38131
  • 100 pcs$0.27827
  • 500 pcs$0.20613
  • 1,000 pcs$0.16490

Delnummer:
FQP3N30
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - RF, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - En, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQP3N30 electronic components. FQP3N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP3N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP3N30 Produktegenskaper

Delnummer : FQP3N30
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 300V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 55W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3