Infineon Technologies - IPS050N03LGBKMA1

KEY Part #: K6401448

[3047stk Lager]


    Delnummer:
    IPS050N03LGBKMA1
    Produsent:
    Infineon Technologies
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - SCR, Transistorer - FET, MOSFET - En, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Infineon Technologies IPS050N03LGBKMA1 electronic components. IPS050N03LGBKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS050N03LGBKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPS050N03LGBKMA1 Produktegenskaper

    Delnummer : IPS050N03LGBKMA1
    Produsent : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
    Serie : OptiMOS™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 5 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (maks) : -
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3200pF @ 15V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 68W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : PG-TO251-3
    Pakke / sak : TO-251-3 Stub Leads, IPak