Infineon Technologies - SPD04N60C3ATMA1

KEY Part #: K6415746

SPD04N60C3ATMA1 Priser (USD) [124607stk Lager]

  • 1 pcs$0.29683
  • 2,500 pcs$0.27487

Delnummer:
SPD04N60C3ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - programmerbar enhet, Tyristorer - SCR, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - RF, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies SPD04N60C3ATMA1 electronic components. SPD04N60C3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD04N60C3ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPD04N60C3ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : SPD04N60C3ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Serie : CoolMOS™
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 200µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 50W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63