Vishay Siliconix - SI1300BDL-T1-GE3

KEY Part #: K6406425

[8652stk Lager]


    Delnummer:
    SI1300BDL-T1-GE3
    Produsent:
    Vishay Siliconix
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - JFET-er, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - TRIAC, Power Driver-moduler and Transistorer - spesialformål ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1300BDL-T1-GE3 electronic components. SI1300BDL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1300BDL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1300BDL-T1-GE3 Produktegenskaper

    Delnummer : SI1300BDL-T1-GE3
    Produsent : Vishay Siliconix
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
    Serie : TrenchFET®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 400mA (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 850 mOhm @ 250mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 0.84nC @ 4.5V
    Vgs (maks) : ±8V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 35pF @ 10V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 190mW (Ta), 200mW (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : SC-70-3
    Pakke / sak : SC-70, SOT-323