Infineon Technologies - IRFS3307ZTRLPBF

KEY Part #: K6402940

IRFS3307ZTRLPBF Priser (USD) [56317stk Lager]

  • 1 pcs$0.69429
  • 800 pcs$0.60080

Delnummer:
IRFS3307ZTRLPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - JFET-er, Dioder - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRFS3307ZTRLPBF electronic components. IRFS3307ZTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3307ZTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3307ZTRLPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFS3307ZTRLPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 75V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4750pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 230W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB