IXYS - IXFH80N25X3

KEY Part #: K6394450

IXFH80N25X3 Priser (USD) [11689stk Lager]

  • 1 pcs$3.87816
  • 10 pcs$3.49034
  • 100 pcs$2.86984
  • 500 pcs$2.40446
  • 1,000 pcs$2.09421

Delnummer:
IXFH80N25X3
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 250V 80A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - RF, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFH80N25X3 electronic components. IXFH80N25X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH80N25X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH80N25X3 Produktegenskaper

Delnummer : IXFH80N25X3
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 250V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 16 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5430pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 390W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247 (IXFH)
Pakke / sak : TO-247-3