Infineon Technologies - FS200R07PE4BOSA1

KEY Part #: K6532584

FS200R07PE4BOSA1 Priser (USD) [565stk Lager]

  • 1 pcs$82.25180

Delnummer:
FS200R07PE4BOSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
IGBT MODULE 650V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - spesialformål, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies FS200R07PE4BOSA1 electronic components. FS200R07PE4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS200R07PE4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS200R07PE4BOSA1 Produktegenskaper

Delnummer : FS200R07PE4BOSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : IGBT MODULE 650V 200A
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Three Phase Inverter
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 650V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 200A
Kraft - Maks : 600W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 200A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 12nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : Yes
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : Module
Leverandørenhetspakke : Module

Du kan også være interessert i
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.