Vishay Siliconix - SIHH180N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6417592

SIHH180N60E-T1-GE3 Priser (USD) [35453stk Lager]

  • 1 pcs$1.10286

Delnummer:
SIHH180N60E-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH PPAK 8X8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH180N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH180N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH180N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH180N60E-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIHH180N60E-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH PPAK 8X8
Serie : E
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1085pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 114W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 8 x 8
Pakke / sak : 8-PowerTDFN

Du kan også være interessert i