Delnummer :
VS-GB75TP120N
Produsent :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
konfigurasjon :
Half Bridge
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) :
1200V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) :
150A
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 75A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) :
5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
5.52nF @ 25V
Driftstemperatur :
150°C (TJ)
Monteringstype :
Chassis Mount
Pakke / sak :
INT-A-PAK (3 + 4)
Leverandørenhetspakke :
INT-A-PAK