Infineon Technologies - IPD22N08S2L50ATMA1

KEY Part #: K6420600

IPD22N08S2L50ATMA1 Priser (USD) [216805stk Lager]

  • 1 pcs$0.17060
  • 2,500 pcs$0.16250

Delnummer:
IPD22N08S2L50ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Power Driver-moduler, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Zener - Singel and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD22N08S2L50ATMA1 electronic components. IPD22N08S2L50ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD22N08S2L50ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD22N08S2L50ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD22N08S2L50ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 75V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 50 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 31µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 75W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interessert i