Rohm Semiconductor - R6035ENZ1C9

KEY Part #: K6398302

R6035ENZ1C9 Priser (USD) [16611stk Lager]

  • 1 pcs$2.72793
  • 10 pcs$2.43619
  • 100 pcs$1.99752
  • 500 pcs$1.61748
  • 1,000 pcs$1.36414

Delnummer:
R6035ENZ1C9
Produsent:
Rohm Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Power Driver-moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9 electronic components. R6035ENZ1C9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6035ENZ1C9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6035ENZ1C9 Produktegenskaper

Delnummer : R6035ENZ1C9
Produsent : Rohm Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 102 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2720pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 120W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247
Pakke / sak : TO-247-3