Vishay Siliconix - SIHB16N50C-E3

KEY Part #: K6399742

SIHB16N50C-E3 Priser (USD) [24578stk Lager]

  • 1 pcs$1.67678
  • 1,000 pcs$1.57453

Delnummer:
SIHB16N50C-E3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - RF, Transistorer - spesialformål, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - singel and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB16N50C-E3 electronic components. SIHB16N50C-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB16N50C-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB16N50C-E3 Produktegenskaper

Delnummer : SIHB16N50C-E3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 380 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 250W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D²PAK (TO-263)
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Du kan også være interessert i