Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET, MOSFET - Arrays
  5. EPC2111ENGRT

EPC - EPC2111ENGRT

KEY Part #: K6523256

EPC2111ENGRT Priser (USD) [60727stk Lager]

  • 1 pcs$0.71180
  • 1,000 pcs$0.70826
Delnummer:
EPC2111ENGRT
Produsent:
EPC
Detaljert beskrivelse:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - JFET-er and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk ...
Konkurransefordel:
We specialize in EPC EPC2111ENGRT electronic components. EPC2111ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2111ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2111ENGRT Produktegenskaper

Delnummer : EPC2111ENGRT
Produsent : EPC
Beskrivelse : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funksjon : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Kraft - Maks : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : Die
Leverandørenhetspakke : Die
Du kan også være interessert i
  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.

  • SI4904DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC.

Varme deler