Delnummer :
SIHD1K4N60E-GE3
Produsent :
Vishay Siliconix
Beskrivelse :
MOSFET N-CH DPAK TO-252
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
4.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
172pF @ 100V
Effektdissipasjon (maks) :
63W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
TO-252AA
Pakke / sak :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63