Vishay Siliconix - IRFD224

KEY Part #: K6392865

IRFD224 Priser (USD) [90300stk Lager]

  • 1 pcs$0.43517
  • 500 pcs$0.43301

Delnummer:
IRFD224
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Power Driver-moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD224 electronic components. IRFD224 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD224, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD224 Produktegenskaper

Delnummer : IRFD224
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 250V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 630mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pakke / sak : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Du kan også være interessert i