Microsemi Corporation - APTM10HM19FT3G

KEY Part #: K6522651

APTM10HM19FT3G Priser (USD) [1796stk Lager]

  • 1 pcs$24.23878
  • 100 pcs$24.11819

Delnummer:
APTM10HM19FT3G
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Arrays, Power Driver-moduler and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTM10HM19FT3G electronic components. APTM10HM19FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10HM19FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10HM19FT3G Produktegenskaper

Delnummer : APTM10HM19FT3G
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-funksjon : Standard
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 70A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
Kraft - Maks : 208W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : SP3
Leverandørenhetspakke : SP3