NXP USA Inc. - PHD16N03T,118

KEY Part #: K6400147

[3498stk Lager]


    Delnummer:
    PHD16N03T,118
    Produsent:
    NXP USA Inc.
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Singel and Transistorer - spesialformål ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in NXP USA Inc. PHD16N03T,118 electronic components. PHD16N03T,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHD16N03T,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHD16N03T,118 Produktegenskaper

    Delnummer : PHD16N03T,118
    Produsent : NXP USA Inc.
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
    Serie : TrenchMOS™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 13.1A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 100 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 30V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 32.6W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : DPAK
    Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63