Infineon Technologies - IRF530NPBF

KEY Part #: K6416063

IRF530NPBF Priser (USD) [97417stk Lager]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.38632
  • 100 pcs$0.28191
  • 500 pcs$0.20882
  • 1,000 pcs$0.16706

Delnummer:
IRF530NPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Zener - Singel and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRF530NPBF electronic components. IRF530NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF530NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF530NPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF530NPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 70W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3