IXYS - IXTY1R4N60P

KEY Part #: K6410095

IXTY1R4N60P Priser (USD) [55stk Lager]

  • 1 pcs$0.57280
  • 10 pcs$0.50674
  • 100 pcs$0.40054
  • 500 pcs$0.29382
  • 1,000 pcs$0.23196

Delnummer:
IXTY1R4N60P
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - RF and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTY1R4N60P electronic components. IXTY1R4N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1R4N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1R4N60P Produktegenskaper

Delnummer : IXTY1R4N60P
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Serie : PolarHV™
Delstatus : Obsolete
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 50W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252, (D-Pak)
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63