Rohm Semiconductor - RS1E280BNTB

KEY Part #: K6394118

RS1E280BNTB Priser (USD) [388538stk Lager]

  • 1 pcs$0.10524
  • 2,500 pcs$0.10472

Delnummer:
RS1E280BNTB
Produsent:
Rohm Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Rohm Semiconductor RS1E280BNTB electronic components. RS1E280BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1E280BNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1E280BNTB Produktegenskaper

Delnummer : RS1E280BNTB
Produsent : Rohm Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 28A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.3 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3W (Ta), 30W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-HSOP
Pakke / sak : 8-PowerTDFN

Du kan også være interessert i