EPC - EPC2016C

KEY Part #: K6421442

EPC2016C Priser (USD) [89066stk Lager]

  • 1 pcs$0.46799
  • 2,500 pcs$0.46566

Delnummer:
EPC2016C
Produsent:
EPC
Detaljert beskrivelse:
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in EPC EPC2016C electronic components. EPC2016C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2016C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2016C Produktegenskaper

Delnummer : EPC2016C
Produsent : EPC
Beskrivelse : GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 5V
Vgs (maks) : +6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : Die
Pakke / sak : Die