Infineon Technologies - IPI320N20N3GAKSA1

KEY Part #: K6418045

IPI320N20N3GAKSA1 Priser (USD) [49917stk Lager]

  • 1 pcs$0.78330
  • 500 pcs$0.75760

Delnummer:
IPI320N20N3GAKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - En, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPI320N20N3GAKSA1 electronic components. IPI320N20N3GAKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI320N20N3GAKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI320N20N3GAKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPI320N20N3GAKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 32 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 136W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO262-3
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA