Infineon Technologies - IPD80R4K5P7ATMA1

KEY Part #: K6420877

IPD80R4K5P7ATMA1 Priser (USD) [277798stk Lager]

  • 1 pcs$0.13315
  • 2,500 pcs$0.11172

Delnummer:
IPD80R4K5P7ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - RF, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Tyristorer - SCR, Dioder - Zener - Singel and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD80R4K5P7ATMA1 electronic components. IPD80R4K5P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R4K5P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80R4K5P7ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD80R4K5P7ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
Serie : CoolMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 500V
FET-funksjon : Super Junction
Effektdissipasjon (maks) : 13W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interessert i