Toshiba Semiconductor and Storage - GT60N321(Q)

KEY Part #: K6424070

[9435stk Lager]


    Delnummer:
    GT60N321(Q)
    Produsent:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaljert beskrivelse:
    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - JFET-er, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q) electronic components. GT60N321(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GT60N321(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GT60N321(Q) Produktegenskaper

    Delnummer : GT60N321(Q)
    Produsent : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beskrivelse : IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
    Serie : -
    Delstatus : Obsolete
    IGBT-type : -
    Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1000V
    Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 60A
    Nåværende - Collector Pulsed (Icm) : 120A
    Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 60A
    Kraft - Maks : 170W
    Bytte energi : -
    Inngangstype : Standard
    Portladning : -
    Td (av / på) ved 25 ° C : 330ns/700ns
    Testforhold : -
    Omvendt gjenopprettingstid (trr) : 2.5µs
    Driftstemperatur : 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Pakke / sak : TO-3PL
    Leverandørenhetspakke : TO-3P(LH)