Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Integrerte kretser (IC)
  4. Hukommelse
  5. TC58NYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938373

TC58NYG2S0HBAI6 Priser (USD) [20269stk Lager]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
Delnummer:
TC58NYG2S0HBAI6
Produsent:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaljert beskrivelse:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: PMIC - Belysning, ballastkontrollere, Logikk - komparatorer, Linear - Comparators, Grensesnitt - UARTs (Universal asynkron mottaker s, Grensesnitt - spesialisert, Minne - batterier, PMIC - Strømforsyningskontrollere, skjermer and Datakjøp - digitale potensiometre ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6 electronic components. TC58NYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI6 Produktegenskaper

Delnummer : TC58NYG2S0HBAI6
Produsent : Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Serie : -
Delstatus : Active
Minnetype : Non-Volatile
Minneformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND (SLC)
Minnestørrelse : 4Gb (512M x 8)
Klokkefrekvens : -
Skriv syklustid - Word, Page : 25ns
Tilgangstid : 25ns
Minne-grensesnitt : Parallel
Spenning - forsyning : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 67-VFBGA
Leverandørenhetspakke : 67-VFBGA (6.5x8)

Siste nytt

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Du kan også være interessert i
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

Varme deler