Microsemi Corporation - JANTX1N6629US

KEY Part #: K6448057

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - TRIAC, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Power Driver-moduler ...

Konkurransefordel:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6629US electronic components. JANTX1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Delnummer : JANTX1N6629US

Produsent : Microsemi Corporation

Beskrivelse : DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Serie : Military, MIL-PRF-19500/590

Delstatus : Active

Diodetype : Standard

Spenning - DC Reverse (Vr) (Max) : 880V

Nåværende - Gjennomsnittlig rettet (Io) : 1.4A

Spenning - Fremover (Vf) (Maks) @ Hvis : 1.4V @ 1.4A

Hastighet : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Omvendt gjenopprettingstid (trr) : 50ns

Nåværende - Omvendt lekkasje @ Vr : 2µA @ 880V

Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz

Monteringstype : Surface Mount

Pakke / sak : SQ-MELF, E

Leverandørenhetspakke : D-5B

Driftstemperatur - veikryss : -65°C ~ 150°C

Du kan også være interessert i

GPP60GHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60DHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
GPP60D-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
GPP60BHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.
GPP60AHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 6A P600.
GPP60A-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 6A P600.

Varme deler