IXYS - IXFT58N20

KEY Part #: K6394053

IXFT58N20 Priser (USD) [8670stk Lager]

  • 1 pcs$5.49348
  • 30 pcs$5.46615

Delnummer:
IXFT58N20
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFT58N20 electronic components. IXFT58N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT58N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT58N20 Produktegenskaper

Delnummer : IXFT58N20
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-268
Pakke / sak : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA