Vishay Siliconix - SIR798DP-T1-GE3

KEY Part #: K6400920

[8842stk Lager]


    Delnummer:
    SIR798DP-T1-GE3
    Produsent:
    Vishay Siliconix
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - spesialformål ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Vishay Siliconix SIR798DP-T1-GE3 electronic components. SIR798DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR798DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIR798DP-T1-GE3 Produktegenskaper

    Delnummer : SIR798DP-T1-GE3
    Produsent : Vishay Siliconix
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
    Serie : -
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.05 Ohm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5050pF @ 15V
    FET-funksjon : Schottky Diode (Body)
    Effektdissipasjon (maks) : 83W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
    Pakke / sak : PowerPAK® SO-8