Infineon Technologies - IPI024N06N3GXKSA1

KEY Part #: K6406987

IPI024N06N3GXKSA1 Priser (USD) [28338stk Lager]

  • 1 pcs$1.39261
  • 10 pcs$1.25908
  • 100 pcs$0.95979
  • 500 pcs$0.74649
  • 1,000 pcs$0.61852

Delnummer:
IPI024N06N3GXKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 120A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - programmerbar enhet and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPI024N06N3GXKSA1 electronic components. IPI024N06N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI024N06N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI024N06N3GXKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPI024N06N3GXKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 120A
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 196µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 30V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 250W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO262-3-1
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA