Littelfuse Inc. - MG12200D-BN2MM

KEY Part #: K6532699

MG12200D-BN2MM Priser (USD) [698stk Lager]

  • 1 pcs$61.28487
  • 10 pcs$57.27794
  • 25 pcs$55.27512

Delnummer:
MG12200D-BN2MM
Produsent:
Littelfuse Inc.
Detaljert beskrivelse:
IGBT 1200V 290A 1050W PKG D.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Littelfuse Inc. MG12200D-BN2MM electronic components. MG12200D-BN2MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG12200D-BN2MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG12200D-BN2MM Produktegenskaper

Delnummer : MG12200D-BN2MM
Produsent : Littelfuse Inc.
Beskrivelse : IGBT 1200V 290A 1050W PKG D
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Half Bridge
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1200V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 290A
Kraft - Maks : 1050W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 200A (Typ)
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : No
Driftstemperatur : -40°C ~ 125°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : Module
Leverandørenhetspakke : D3

Du kan også være interessert i
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.