Microsemi Corporation - APTC90H12T1G

KEY Part #: K6523807

APTC90H12T1G Priser (USD) [4042stk Lager]

  • 100 pcs$32.07046

Delnummer:
APTC90H12T1G
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Zener - Arrays and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTC90H12T1G electronic components. APTC90H12T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC90H12T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC90H12T1G Produktegenskaper

Delnummer : APTC90H12T1G
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Serie : CoolMOS™
Delstatus : Obsolete
FET Type : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-funksjon : Super Junction
Drenering til kildespenning (Vdss) : 900V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 30A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 100V
Kraft - Maks : 250W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : SP1
Leverandørenhetspakke : SP1