Infineon Technologies - IPB019N06L3GATMA1

KEY Part #: K6402098

IPB019N06L3GATMA1 Priser (USD) [39781stk Lager]

  • 1 pcs$0.98287

Delnummer:
IPB019N06L3GATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1 electronic components. IPB019N06L3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB019N06L3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB019N06L3GATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPB019N06L3GATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 196µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 166nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 30V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 250W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D²PAK (TO-263AB)
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB