Vishay Siliconix - IRFBF20LPBF

KEY Part #: K6405488

IRFBF20LPBF Priser (USD) [33399stk Lager]

  • 1 pcs$1.19870
  • 10 pcs$1.02894
  • 100 pcs$0.82679
  • 500 pcs$0.64307
  • 1,000 pcs$0.53283

Delnummer:
IRFBF20LPBF
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBF20LPBF electronic components. IRFBF20LPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBF20LPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBF20LPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFBF20LPBF
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 900V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : I2PAK
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA