IXYS-RF - IXFH6N100F

KEY Part #: K6393702

IXFH6N100F Priser (USD) [10590stk Lager]

  • 1 pcs$4.90940
  • 10 pcs$4.41758
  • 100 pcs$3.63216
  • 500 pcs$3.04315

Delnummer:
IXFH6N100F
Produsent:
IXYS-RF
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - RF and Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS-RF IXFH6N100F electronic components. IXFH6N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH6N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH6N100F Produktegenskaper

Delnummer : IXFH6N100F
Produsent : IXYS-RF
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Serie : HiPerRF™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1770pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 180W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247 (IXFH)
Pakke / sak : TO-247-3