Infineon Technologies - IPI90R1K2C3XKSA1

KEY Part #: K6419100

IPI90R1K2C3XKSA1 Priser (USD) [91320stk Lager]

  • 1 pcs$0.42818
  • 500 pcs$0.40327

Delnummer:
IPI90R1K2C3XKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Power Driver-moduler, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Zener - Singel and Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPI90R1K2C3XKSA1 electronic components. IPI90R1K2C3XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI90R1K2C3XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI90R1K2C3XKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPI90R1K2C3XKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
Serie : CoolMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 900V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 310µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO262-3
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA