ON Semiconductor - FDB8870-F085

KEY Part #: K6402985

[8771stk Lager]


    Delnummer:
    FDB8870-F085
    Produsent:
    ON Semiconductor
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Power Driver-moduler, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - spesialformål and Dioder - likerettere - singel ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in ON Semiconductor FDB8870-F085 electronic components. FDB8870-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8870-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB8870-F085 Produktegenskaper

    Delnummer : FDB8870-F085
    Produsent : ON Semiconductor
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
    Serie : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 160A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.9 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 15V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 160W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : TO-263AB
    Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB