Delnummer :
SCT2H12NZGC11
Produsent :
Rohm Semiconductor
Beskrivelse :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Teknologi :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
1700V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
3.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
184pF @ 800V
Effektdissipasjon (maks) :
35W (Tc)
Driftstemperatur :
175°C (TJ)
Monteringstype :
Through Hole
Leverandørenhetspakke :
TO-3PFM
Pakke / sak :
TO-3PFM, SC-93-3