Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis plasseringen din ikke er oppført, kan du velge ett av følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - likerettere - singel
  5. JAN1N5802US

Microsemi Corporation - JAN1N5802US

KEY Part #: K6426959

JAN1N5802US Priser (USD) [7195stk Lager]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244
Delnummer:
JAN1N5802US
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 50V TRR 25NS
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - SCR-er - moduler, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5802US electronic components. JAN1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5802US Produktegenskaper

Delnummer : JAN1N5802US
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Delstatus : Active
Diodetype : Standard
Spenning - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Nåværende - Gjennomsnittlig rettet (Io) : 2.5A
Spenning - Fremover (Vf) (Maks) @ Hvis : 975mV @ 2.5A
Hastighet : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Omvendt gjenopprettingstid (trr) : 25ns
Nåværende - Omvendt lekkasje @ Vr : 1µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : SQ-MELF, A
Leverandørenhetspakke : D-5A
Driftstemperatur - veikryss : -65°C ~ 175°C

Siste nytt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interessert i
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PWM10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • VFT5200-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V ITO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,200V,TRENCH SKY RECT.

  • V30120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A 120V Schottky TrenchMOS

Varme deler