STMicroelectronics - STP10NM60N

KEY Part #: K6403123

STP10NM60N Priser (USD) [29687stk Lager]

  • 1 pcs$1.38820
  • 10 pcs$1.25423
  • 100 pcs$0.95615
  • 500 pcs$0.74367
  • 1,000 pcs$0.61619

Delnummer:
STP10NM60N
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Singel, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STP10NM60N electronic components. STP10NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP10NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP10NM60N Produktegenskaper

Delnummer : STP10NM60N
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Serie : MDmesh™ II
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 70W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3