NXP USA Inc. - PSMN3R7-30YLC,115

KEY Part #: K6415267

[12469stk Lager]


    Delnummer:
    PSMN3R7-30YLC,115
    Produsent:
    NXP USA Inc.
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN3R7-30YLC,115 electronic components. PSMN3R7-30YLC,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN3R7-30YLC,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN3R7-30YLC,115 Produktegenskaper

    Delnummer : PSMN3R7-30YLC,115
    Produsent : NXP USA Inc.
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    Serie : -
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.95 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1848pF @ 15V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 79W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : LFPAK56, Power-SO8
    Pakke / sak : SC-100, SOT-669