Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4N80CI C0G

KEY Part #: K6399773

TSM4N80CI C0G Priser (USD) [46527stk Lager]

  • 1 pcs$0.84038

Delnummer:
TSM4N80CI C0G
Produsent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A ITO220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - FET, MOSFET - RF and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CI C0G electronic components. TSM4N80CI C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM4N80CI C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM4N80CI C0G Produktegenskaper

Delnummer : TSM4N80CI C0G
Produsent : Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 800V 4A ITO220
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 955pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 38.7W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : ITO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab