Infineon Technologies - BSC0904NSIATMA1

KEY Part #: K6420932

BSC0904NSIATMA1 Priser (USD) [296365stk Lager]

  • 1 pcs$0.12480

Delnummer:
BSC0904NSIATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Zener - Singel, Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies BSC0904NSIATMA1 electronic components. BSC0904NSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0904NSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0904NSIATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : BSC0904NSIATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta), 78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TDSON-8
Pakke / sak : 8-PowerTDFN

Du kan også være interessert i