Delnummer :
TH58NYG2S3HBAI4
Produsent :
Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse :
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Teknologi :
FLASH - NAND (SLC)
Minnestørrelse :
4Gb (512M x 8)
Skriv syklustid - Word, Page :
25ns
Minne-grensesnitt :
Parallel
Spenning - forsyning :
1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
63-BGA (9x11)